7nm FinFET;HEMT GaN;28nm & 180nm NMOS&PMOS;LDMOS;TB SOI&FD SOI;NPN&PNP BJT;Diode;Resistor;Capacitor;Varactor;JFET;TFT;SRAM;RO
2. 虚拟化测试仪器源测试单元:测量器件的IV特性
LCR Meter:测量器件的CV特性
外界温度:可进行高低温测试
测量时间:用于可靠性测试如HCI,NBTI等
辐照剂量:器件在空间应用的相关特性
完整支持器件测量实验课的软硬件设施和全套实验教材
5. 支持课程:工业级半导体器件测试
1:器件测量设备及其原理 | 2:器件测试脚本语法分析与实验 |
3:二极管IV特性测量实验 | 4:二极管CV特性测量实验 |
5:BJT输入特性测量实验 | 6:BJT输出特性测量实验 |
7:半导体扩散电阻测量实验 | 8:JFET转移特性测量实验 |
9:JFET输出特性测量实验 | 10:JFET栅电流特性测量实验 |
11:TFT转移特性测量实验 | 12:TFT输出特性测量实验 |
13:半导体电容器CV测量实验 | 14:MOS变容器CV特性测量实验 |
15:180nmNMOS转移特性测量实验 | 16:180nmNMOS输出特性测量 |
17:180nmNMOS衬偏特性测量实验 | 18:180nmNMOS衬底电流测量 |
19:180nmNMOS电容特性测量实验 | 20:SRAM存储器测量实验 |
21:环形振荡器测量实验 | 22:FDSOI转移特性测量实验 |
23:FDSOI输出特性测量实验 | 24:PDSOI转移特性测量实验 |
25:PDSOI输出特性测量实验 | 26:PDSOI栅电容测量实验 |
27:PDSOI沟道电容测量实验 | 28:28nmNMOS转移特性测量 |
29:28nmNMOS输出特性测量 | 30:28nmNMOS栅电流特性测量 |
31:28nmNMOS衬底偏置特性测量 | 32:28nmNMOS衬底电流测量 |
33:28nmNMOS DIBL特性测量 | 34:28nmNMOS电容特性测量实验 |
35:FinFET转移特性测量实验 | 36:FinFET输出特性测量实验 |
37:FinFET Isub和Ig特性测量实验 | 38:GaN转移特性测量实验 |
39:GaN输出特性测量实验 | 40:LDMOS转移特性测量实验 |
41:LDMOS输出特性测量实验 | 42:LDMOS电容特性测量实验 |
1:干氧氧化工艺实验 | 2:湿氧氧化工艺实验 |
3:离子注入的深度与能量关系实验 | 4:离子注入的剂量与掺杂浓度关系实验 |
5:离子注入的角度影响实验 | 6:扩散工艺时间对掺杂浓度的影响实验 |
7:扩散工艺温度对掺杂浓度的影响实验 | 8:二极管制造实验 |
9:集成电路电阻制造实验 | 10:MOSFET制造实验 |
11:变容管制造实验 | 12:SOI制造实验 |
13:FinFET制造实验 | 14:三极管制造实验 |
15:LDMOS制造实验 | 16:JFET制造实验 |
17:GaAs制造实验 |
1:二极管IV特性高级测量实验 | 2:二极管CV特性高级测量实验 |
3:BJT输入特性高级测量实验 | 4:BJT输出特性高级测量实验 |
5:半导体扩散电阻高级测量实验 | 6:JFET转移特性高级测量实验 |
7:JFET输出特性高级测量实验 | 8:JFET栅电流特性高级测量实验 |
9:TFT转移特性高级测量实验 | 10:TFT输出特性高级测量实验 |
11:半导体电容器CV高级测量实验 | 12:MOS变容器CV特性高级测量实验 |
13:180nmNMOS转移特性高级测量实验 | 14:180nmNMOS输出特性高级测量实验 |
15:180nmNMOS衬偏特性高级测量实验 | 16:180nmNMOS衬底电流高级测量实验 |
17:180nmNMOS电容特性高级测量实验 | 18:SRAM存储器高级测量实验 |
19:环形振荡器高级测量实验 | 20:PDSOI转移特性高级测量实验 |
21:PDSOI输出特性高级测量实验 | 22:PDSOI栅电容高级测量实验 |
23:PDSOI沟道电容高级测量实验 | 24:28nmNMOS转移特性高级测量实验 |
25:28nmNMOS输出特性高级测量实验 | 26:28nmNMOS栅电流特性高级测量实验 |
27:28nmNMOS衬底偏置特性高级测量实验 | 28:28nmNMOS衬底电流高级测量实验 |
29:28nmNMOS DIBL特性高级测量实验 | 30:28nmNMOS电容特性高级测量实验 |
31:FinFET转移特性高级测量实验 | 32:FinFET输出特性高级测量实验 |
33:FinFET Isub和Ig特性高级测量实验 | 34:GaN转移特性高级测量实验 |
35:GaN输出特性高级测量实验 | 36:LDMOS转移特性高级测量实验 |
37:LDMOS输出特性高级测量实验 | 38:LDMOS电容特性高级测量实验 |
1:二极管制造高级工艺实验 | 2:集成电路电阻制造高级工艺实验 |
3:MOSFET制造高级工艺实验 | 4:变容管制造高级工艺实验 |
5:SOI制造高级工艺实验 | 6:FinFET制造高级工艺实验 |
7:三极管制造高级工艺实验 | 8:LDMOS制造高级工艺实验 |
9:JFET制造高级工艺实验 | 10:GaAs制造高级工艺实验 |
1:双列直插封装实验 | 2:小外型封装实验 |
3:薄型四方扁平式封装实验 | 4:晶体管外型封装实验 |
5:陶瓷针栅阵列封装实验 | 6:细间距球栅阵列实验 |
7:晶圆级扇入封装实验 | 8:晶圆级扇出封装实验 |
1:EUV光刻机 | 2:离子注入机 |
3:氧化炉 | 4:退火炉 |
5:扩散炉 | 6:低压化学气相沉积设备 |
7:金属刻蚀机 | 8:硅刻蚀机 |
9:介质刻蚀机 | 10:光刻胶刻蚀机 |
11:化合物刻蚀机 | 12:物理气相沉积设备 |
13:MOCVD | 14:硅外延 |
15:ALD | 16:槽式清洗机 |
17:激光退火设备 |